Crossref journal-article
Walter de Gruyter GmbH
Practical Metallography (374)
Abstract

Kurzfassung Die Zielpräparation von elektronentransparenten Querschnitten wird in der Halbleiterindustrie in der Regel mit fokussierten Ga-Ionenstrahlen (FIB) durchgeführt. Es wird am Beispiel von Si und GaAs gezeigt, dass die Reduzierung der Beschleunigungsspannung der Ga-Ionen von 30 kV auf 2 kV „low voltage“ die Schädigung der Probenoberfläche durch die Bestrahlung vermindert bzw. beseitigt. Die stetige Verbesserung der Abbildungsleistung der Ionenquellen auch bei geringen Beschleunigungsspannungen macht die „low voltage“ Politur von elektronentransparenten TEM-Lamellen zu einer praktikablen Methode zur signifikanten Verminderung von Präparationsartefakten.

Bibliography

Altmann, F., Graff, A., Simon, M., Hoffmeister, H., & Gnauck, P. (2006). TEM-Präparation mittels „low-voltage“-FIB. Practical Metallography, 43(8), 396–405.

Authors 5
  1. Frank Altmann (first)
  2. Andreas Graff (additional)
  3. Michél Simon (additional)
  4. Himar Hoffmeister (additional)
  5. Peter Gnauck (additional)
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Dates
Type When
Created 11 years, 8 months ago (Dec. 9, 2013, 11:03 a.m.)
Deposited 4 years, 2 months ago (June 23, 2021, 4:33 p.m.)
Indexed 3 years, 4 months ago (April 4, 2022, 2:32 p.m.)
Issued 19 years ago (Aug. 1, 2006)
Published 19 years ago (Aug. 1, 2006)
Published Online 12 years, 3 months ago (May 9, 2013)
Published Print 19 years ago (Aug. 1, 2006)
Funders 0

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