Abstract
Es werden Messungen der spez. Leitfähigkeit und des Hall-Koeffizienten der halbleitenden Verbindung InAs mitgeteilt und diskutiert. Für die Breite der verbotenen Zone am absoluten Nullpunkt der Temperatur ergibt sich der Wert 0,47 ± 0,02 eV. Ihre Temperaturabhängigkeit ist angenähert —4,5·10-4 eV/°K. Die Elektronenbeweglichkeit hat bei Zimmertemperatur einen Maximalwert von etwa 30000 cm2/Vsec, die Löcherbeweglichkeit von etwa 200 cm2/Vsec.
Dates
Type | When |
---|---|
Created | 10 years, 5 months ago (March 3, 2015, 12:04 p.m.) |
Deposited | 4 years, 2 months ago (June 22, 2021, 5:32 p.m.) |
Indexed | 1 year, 6 months ago (Feb. 2, 2024, 2:58 a.m.) |
Issued | 70 years, 9 months ago (Nov. 1, 1954) |
Published | 70 years, 9 months ago (Nov. 1, 1954) |
Published Online | 11 years, 2 months ago (June 2, 2014) |
Published Print | 70 years, 9 months ago (Nov. 1, 1954) |
@article{Folberth_1954, title={Die elektrischen Eigenschaften von Indiumarsenid II}, volume={9}, ISSN={0932-0784}, url={http://dx.doi.org/10.1515/zna-1954-1108}, DOI={10.1515/zna-1954-1108}, number={11}, journal={Zeitschrift für Naturforschung A}, publisher={Walter de Gruyter GmbH}, author={Folberth, O. G. and Madelung, O. and Weiss, H.}, year={1954}, month=nov, pages={954–958} }