Abstract
Im eindimensionalen Potentialmodell wird das Verhalten der Bindungsfestigkeit, der Breite der verbotenen Zone und der Beweglichkeit von Löchern und Elektronen betrachtet, wenn man vom Fall gleicher Potentialmulden zu einer Anordnung übergeht, in der jeweils eine tiefere und eine flachere Mulde aufeinander folgen. Es wird qualitative Übereinstimmung mit den Beobachtungen innerhalb einer isoelektronischen Reihe erzielt, insbesondere bezüglich des Vergleichs der AIIIB V- Verbindungen mit dem isoelektronischen Element.
Dates
Type | When |
---|---|
Created | 10 years, 5 months ago (March 3, 2015, 12:04 p.m.) |
Deposited | 4 years, 2 months ago (June 22, 2021, 5:32 p.m.) |
Indexed | 1 month, 3 weeks ago (July 2, 2025, 10:58 a.m.) |
Issued | 71 years, 3 months ago (May 1, 1954) |
Published | 71 years, 3 months ago (May 1, 1954) |
Published Online | 11 years, 2 months ago (June 2, 2014) |
Published Print | 71 years, 3 months ago (May 1, 1954) |
@article{Seraphin_1954, title={Über ein eindimensionales Modell halbleitender Verbindungen vom Typus AIIIBv}, volume={9}, ISSN={0932-0784}, url={http://dx.doi.org/10.1515/zna-1954-0511}, DOI={10.1515/zna-1954-0511}, number={5}, journal={Zeitschrift für Naturforschung A}, publisher={Walter de Gruyter GmbH}, author={Seraphin, B.}, year={1954}, month=may, pages={450–456} }