AbstractDer Einfluß der Chemisorption gemessener Mengen von H2O‐Molekeln an dünnen im Ultrahochvakuum aufgedampften Fe‐ und Cu‐Filmen auf den elektrischen Widerstand R, das Elektronenaustrittspotential Φ und die lichtelektrische Mengenkonstante α M der Filme wird bei 77 und 273°K untersucht.Die nicht zerfallenden Molekeln bilden wie an Ni‐Filmen einen Dipolbelag, dessen positive Ladung sich außen befindet. R nimmt bei der Adsorption zu, Φ ab. Wird der mit mehreren H,O‐Molekelschichten bedeckte Film auf 273 °K erwärmt, so bildet sich wie bei Ni‐Filmen eine Oberflächenverbindung (OV) unter Zunahme von R und Φ und Wasserstoffabgabe. Ein Teil des Wasserstoffs wird unter Abnahme von R adsorbiert und beim Abpumpen desorbiert. Bei 273 °K chemisorbierte H,O‐Molekeln zerfallen in großerer Menge unter Bildung der OV; auf ihr adsorbierte (unzersetzte) H,O‐Molekeln erniedrigen Φ ebenfalls. Sie sind schwacher polarisiert als die bei 77 °K auf dem reinen Film adsorbierten. Der Widerstandstemperaturkoeffizient β des Fe‐Films wird durch die Bildung der OV um 11% herabgesetzt. Die an Cu‐Filmen bei 77 °K chemisorbierten H,O‐Molekeln zerfallen bei schwacher Besetzung weitgehend in H und OH. Der Wasserstoff wird unter Abnahme von R adsorbiert. Die OH‐Radikale bilden einen Oberflächenbelag, der Φ herabsetzt; auf ihm werden H,O‐Molekeln bei zunehmender Belegung adsorbiert unter fortlaufender Zunahme von R und Abnahme von Φ bis zu einem Grenzwert. Beim Erwärmen auf 273 °K bildet sich eine OV unter Vergrößerung von Austrittsarbeit und Filmwiderstand. Sie entsteht sofort, wenn die H,O‐Molekeln bei 273 °K adsorbiert werden. β nimmt durch die Bildung der OV ab, wie bei den Fe‐Filmen, aber nur um 1‐3%. Die Beanspruchung der Leitungselektronen des Metallfilms durch die OV ist also bei einem Cu‐Film geringer als bei einem Fe‐Film.

Suhrmann, R., Heras, J. M., Viscido De Heras, L., & Wedler, C. (1968). Chemisorption und Zerfall der Wassermolekel an reinen Eisen‐und Kupferoberflächen bei niedrigen Temperaturen. Berichte Der Bunsengesellschaft Für Physikalische Chemie, 72(7), 854–863. Portico.